Tấm pin năng lượng mặt trời công nghệ Perovskite hiệu suất cao là giải pháp công nghệ cao thuộc lĩnh vực Năng lượng & Môi trường.
Tấm pin lai Silicon-Perovskite Tandem đạt hiệu suất chuyển đổi quang năng 28.5% trong phòng thí nghiệm.
Giải pháp đã hoàn thiện nguyên mẫu và thử nghiệm thực tế đạt cấp độ sẵn sàng công nghệ TRL 6/9, bảo hộ sở hữu trí tuệ qua Đơn đăng ký sáng chế số 1-2026-01011. Sẵn sàng kết nối chuyển giao và thương mại hóa.
TRL 6: Nguyên mẫu đã được thử nghiệm và hoạt động trong môi trường thực tế.
| Hiệu suất quang năng | 28.5% |
| Độ suy hao < | 0.5%/năm |
| Kích thước chuẩn 2.2m x | 1.1m |
Danh mục bằng độc quyền sáng chế, GPHI và đơn đăng ký SHTT
| # | Số văn bằng | Tên sáng chế / Giải pháp | Cơ quan cấp | Chủ sở hữu | Nhóm tác giả | Ngày cấp | Tình trạng hiệu lực | Tra cứu CSDL SHTT | Đã thẩm định |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Đơn đăng ký sáng chế số 1-2026-01011 | Tấm pin năng lượng mặt trời công nghệ Perovskite hiệu suất cao | Cục Sở hữu trí tuệ Việt Nam | Học viện Nông nghiệp Việt Nam | PGS.TS. Phạm Quang Huy và cộng sự | 15/3/2024 | Đang thẩm định | Liên kết | Không |
Chủ nhiệm đề tài, các nhà khoa học và kỹ sư tham gia nghiên cứu
Tài liệu điều khoản tham chiếu TOR, quy chuẩn kỹ thuật và tiêu chí nghiệm thu đã thẩm định.
ĐỀ XUẤT LIÊN QUAN
Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội
Viện Công nghệ Thông tin - Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam
Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội